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        中國(guó)半導(dǎo)體專家蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司通過(guò)利用AIXTRON 愛(ài)思強(qiáng)反應(yīng)器，成功在200 毫米的硅基（硅基氮化鎵）上生產(chǎn)高壓氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）結(jié)構(gòu)材料。

        硅基氮化鎵電源設(shè)備憑借其在功率器件的潛在應(yīng)用，最近引起了學(xué)術(shù)界和業(yè)界的廣泛關(guān)注。由于硅芯片上異質(zhì)外延生長(zhǎng)氮化鎵技術(shù)存在缺陷干擾性，所以硅基氮化鎵電源設(shè)備具有高緩沖漏電問(wèn)題。最近，晶湛半導(dǎo)體在200 毫米的硅基上制造出高壓氮化鎵HEMT 材料，該材料具有良好的均勻性和低緩沖漏電性能，以及<0.5 %的理想厚度均勻性（不排除邊緣區(qū)域）。在特殊條件下，可實(shí)現(xiàn)均勻值的進(jìn)一步改善。

圖1：200 毫米硅基氮化鎵晶圓的厚度均勻圖像。

        晶湛半導(dǎo)體的聯(lián)合創(chuàng)始人Cheng Kai 博士表示：“大尺寸的硅基氮化鎵已被公認(rèn)為實(shí)現(xiàn)氮化鎵電源設(shè)備大批量生產(chǎn)的最具成本效益的方法。然而，迄今為止，翹曲度大的晶圓加上高緩沖漏電妨礙了硅基氮化鎵技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。我們對(duì)200 毫米硅基板的處理顯示了低漏電的高擊穿電壓（低于1600 伏）氮化鎵電源設(shè)備可在4 微米相對(duì)較薄的緩沖層實(shí)現(xiàn)。它們簡(jiǎn)化了生成過(guò)程，盡可能降低了晶圓的翹曲度，并能顯著減少外延片成本。采用我們基于AIXTRON 愛(ài)思強(qiáng)系統(tǒng)的流程后，硅基氮化鎵器件或許在不久之后就能實(shí)現(xiàn)更高壓的性能?！?/p>

圖2：目前裝在200 毫米硅基氮化鎵晶圓上的器件漏電分析。